MOCVD LED Epi -suskeptori

VeTek puolijohde'sMOCVD LED Epi -suskeptorion ydinkomponentti. Puolijohdelaitteiden valmisteluprosessissa,MOCVD LED Epi -suskeptoriei ole vain yksinkertainen lämmitystaso, vaan myös tarkkuusprosessityökalu, jolla on syvällinen vaikutus ohutkalvomateriaalien laatuun, kasvunopeuteen, tasaisuuteen ja muihin näkökohtiin.

Erityiset käyttötarkoituksetMOCVD LED Epi -suskeptoripuolijohdekäsittelyssä ovat seuraavat:

Alustan lämmitys ja tasaisuuden säätö:

MOCVD Epitaxy Susceptoria käytetään tasaisen lämmityksen aikaansaamiseen substraatin vakaan lämpötilan varmistamiseksi epitaksiaalisen kasvun aikana. Tämä on välttämätöntä korkealaatuisten puolijohdekalvojen saamiseksi ja epitaksiaalisten kerrosten paksuuden ja kidelaadun yhdenmukaisuuden varmistamiseksi alustan poikki.

Tuki kemiallisen höyrypinnoituksen (CVD) reaktorikammioille:

Tärkeänä komponenttina CVD-reaktorissa Susceptor tukee metalliorgaanisten yhdisteiden laskeutumista substraateille. Se auttaa muuttamaan nämä yhdisteet tarkasti kiinteiksi kalvoiksi haluttujen puolijohdemateriaalien muodostamiseksi.

Edistää kaasun jakelua:

Susceptorin suunnittelu voi optimoida kaasujen virtauksen jakautumisen reaktiokammiossa varmistaen, että reaktiokaasu koskettaa alustaa tasaisesti, mikä parantaa epitaksiaalisten kalvojen tasaisuutta ja laatua.

Voit olla varma, että ostat räätälöityjäMOCVD LED Epi -suskeptorimeiltä, ​​odotamme innolla yhteistyötä kanssasi. Jos haluat lisätietoja, voit ottaa meihin yhteyttä välittömästi ja vastaamme sinulle ajoissa!

CVD SiC -pinnoitteen fysikaaliset perusominaisuudet:

Tuotantoliikkeet:

Yleiskatsaus puolijohdesirun epitaksiteollisuuden ketjuun：