Erittäin puhdas grafiittirengas soveltuu GaN-epitaksiaalisiin kasvuprosesseihin. Niiden erinomainen vakaus ja erinomainen suorituskyky ovat tehneet niistä laajan käytön. VeTek Semiconductor valmistaa ja valmistaa maailman johtavaa erittäin puhdasta grafiittirengasta auttaakseen GaN-epitaksiateollisuutta jatkamaan edistymistä. VeTekSemistä tulee innolla kumppanisi Kiinassa.
ProsessiGaN epitaksiaalinenkasvu tapahtuu korkean lämpötilan, syövyttävässä ympäristössä. GaN-epitaksiaalisen kasvatusuunin kuuma vyöhyke on yleensä varustettu lämmön- ja korroosionkestävillä erittäin puhtailla grafiittiosilla, kuten lämmittimillä, upokkaalla, grafiittielektrodilla, upokkaan pidikkeellä, elektrodin muttereilla jne. grafiittirengastiiviste on yksi tärkeitä osia.
VeTek Semiconductorin korkean puhtauden grafiittirengas on valmistettu erittäin puhtaasta grafiitista, ja valmiin tuotteen tuhkapitoisuus voi olla <5 ppm.
Ja grafiittirenkailla on korkean lämpötilan kestävyys ja korroosionkestävyys, hyvä sähkön- ja lämmönjohtavuus, kemiallinen stabiilisuus ja lämpöiskunkestävyys, mikä tekee niistä sopivia käytettäviksi GaN-epitaksiaalisissa kasvuuuneissa.
VeTek Semiconductorin erittäin puhtaat grafiittirenkaat on valmistettu korkealaatuisesta grafiitista, ja niillä on vakaa suorituskyky ja pitkä käyttöikä. Jos sinun on suoritettava GaN-epitaksiaalinen kasvu, erittäin puhtaat grafiittirenkaamme ovat paras valinta grafiittiosiksi.
VeTek Semiconductor voi tarjota asiakkaille erittäin räätälöityjä tuotteita, olipa kyseessä renkaan koko tai materiaali, se voi täyttää asiakkaiden erilaiset vaatimukset. Odotamme konsultaatiotasi milloin tahansa.
Materiaalitiedot SGL 6510 grafiitista
Tyypillisiä ominaisuuksia
Yksiköt
Testistandardit
Arvot
Keskimääräinen raekoko
μm
ISO 13320
10
Bulkkitiheys
g/cm3
IEC 60413/204
1.83
Avohuokoisuus
tilavuus-%
DIN 66133
10
Keskikokoinen huokosten sisääntulohalkaisija
μm
DIN 66133
1.8
Läpäisykerroin (ympäristön lämpötila)
cm2/s
ALKAEN 51935
0.06
Rockwellin kovuus HR5/100
\
IEC 60413/303
90
Resistanssi
μΩm
IEC 60413/402
13
Taivutusvoima
MPa
IEC 60413/501
60
Puristusvoima
MPa
DIN 51910
130
Dynaaminen kimmokerroin
MPa
DIN 51915
11,5 x 103
Lämpölaajeneminen (20-200 ℃)
K-1
DIN 51909
4,2x10-6
Lämmönjohtavuus(20℃)
Wm-1K-1
DIN 51908
105
Tuhkapitoisuus
ppm
DIN 51903
\
Vetek Semiconductor korkean puhtauden grafiittirengastuoteliikkeet: