SiN-substraatti

VeTek Semiconductor SiN -substraatti on edistynytkeraaminen materiaalijoka on herättänyt laajaa huomiota erinomaisista mekaanisista, sähköisistä ja lämpöominaisuuksistaan. Tämä keramiikkasubstraattion valmistettu pii- ja typpiatomeista, jotka on sidottu erityisellä kiderakenteella, ja niillä on ainutlaatuinen lujuus, kestävyys ja lämmönkestävyys. SiN-substraatit ovat välttämättömiä korkean suorituskyvyn sovelluksissa, kuten puolijohdelaitteessa, ja niiden ominaisuudet parantavat merkittävästi integroitujen piirien (ICs), antureiden ja antureiden tehokkuutta ja luotettavuutta.mikroelektromekaaniset järjestelmät (MEMS).

SiN-substraattien tuotteen ominaisuudet：

Erinomainen lämmönjohtavuus: Lämmönhallinnalla on tärkeä rooli puolijohdelaitteiden suorituskyvyssä. SiN-keraamisen levyn lämmönjohtavuus on jopa 130 W/m·K, mikä voi tehokkaasti haihduttaa lämpöä elektronisista komponenteista ja estää ylikuumenemisen, mikä pidentää laitteen käyttöikää.

Kemiallinen stabiilisuus ja korroosionkestävyys: Piinitridillä on erittäin vahva kemiallisen korroosionkestävyys ja se sopii erityisen hyvin käytettäväksi ympäristöissä, jotka ovat alttiina kemikaaleille tai äärimmäisille lämpötiloille. Jopa ympäristöissä, joissa on syövyttäviä kaasuja, happoja ja emäksiä, SiN-substraatit säilyttävät rakenteellisen eheytensä, mikä takaa pitkän aikavälin luotettavuuden teollisissa sovelluksissa.

Korkea lämpöiskun kestävyys: SiN-substraatit kestävät nopeita lämpötilan muutoksia jopa 1200 °C:seen ilman lämpöshokkia tai halkeilua. Tämä ominaisuus on kriittinen alueilla, kuten tehoelektroniikassa ja korkean lämpötilan antureissa, jotka usein haastavat äkilliset lämpötilan muutokset.

Korkea lujuus ja sitkeys: Verrattuna muihin keraamisiin materiaaleihin, puristuslujuusSiN keraaminen alustavoi saavuttaa 600 MPa, mikä osoittaa erinomaista sitkeyttä. Tämän ansiosta se vastustaa tehokkaasti halkeilua ja säilyttää rakenteellisen eheyden korkean jännityksen ja tarkasti käsitellyissä puolijohdeprosesseissa, mikä varmistaa mekaanisen vakauden.

Yleiskatsaus pii/piinitridi (Si/SiN) TEM:n valmistukseen

VeTek Semiconductor Silicon Nitride (SiN) -substraatista on tullut keskeinen materiaali puolijohdeteollisuudessa ja muilla aloilla erinomaisten tuoteominaisuuksiensa ansiosta. Erityisesti puolijohdelaitteiden, MEMS:n, optoelektroniikan ja tehoelektroniikan aloilla SiN-substraatit ohjaavat tulevaisuuden elektroniikkateknologian kehitystä tärkeänä kulmakivinä.

VeTekSemi SiN-substraattituoteliikkeet: