Koti > Tuotteet > Vohveli > 4° off-akseli p-tyypin SiC kiekko
4° off-akseli p-tyypin SiC kiekko
  • 4° off-akseli p-tyypin SiC kiekko4° off-akseli p-tyypin SiC kiekko

4° off-akseli p-tyypin SiC kiekko

VeTek Semiconductor on ammattimainen kiinalainen valmistaja, joka valmistaa 4°-akselista p-tyypin SiC-kiekkoja, 4H N-tyypin SiC-substraattia ja 4H-puolieristävää SiC-substraattia. Niistä 4° off axis p-type SiC Wafer on erityinen puolijohdemateriaali, jota käytetään korkean suorituskyvyn elektronisissa laitteissa. VeTek Semiconductor on sitoutunut tarjoamaan edistyneitä ratkaisuja erilaisille SiC Wafer -tuotteille puolijohdeteollisuudelle. Odotamme vilpittömästi lisäneuvotteluasi.

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

Ammattimaisena puolijohteiden valmistajana Kiinassa VeTek Semiconductor 4° off axis p-type SiC Wafer viittaa 4H piikarbidikiekoihin (SiC), jotka poikkeavat 4° kiteen pääkidesuunnasta (yleensä c-akselista) leikattaessa ja käy läpi P-tyypin dopingia. Tätä tuotetta käytetään yleensä tehoelektroniikkalaitteiden ja radiotaajuisten (RF) laitteiden valmistuksessa puolijohdeteollisuuden ketjussa, ja sillä on erinomaiset tuoteedut.


Akselin ulkopuolisen leikkauksen avulla VeTek Semiconductorin 4° off axis p-type SiC Wafer voi tehokkaasti vähentää dislokaatioita ja vikoja, jotka syntyvät epitaksiaalikerroksen kasvun aikana, mikä parantaa kiekon laatua. Lisäksi 4° Off-Axis -suuntaus auttaa kasvattamaan tasaisemman ja virheettömemmän epitaksiaalikerroksen, parantaa epitaksikerroksen laatua ja soveltuu yleisesti korkean suorituskyvyn laitteiden valmistukseen.


Lisäksi VeTek Semiconductorin 4° off-akseli p-type SiC Wafer -tuotteet voivat tehdä kiekosta enemmän reikiä ja muodostaa P-tyypin puolijohteen dopingottamalla akseptoriepäpuhtauksia (kuten alumiinia tai booria). P-tyypin 4H-SiC kiekkoja käytetään usein P-tyypin kerroksen vaativien teholaitteiden valmistuksessa. Tämän tyyppisillä puolijohteilla on erinomaiset sähköiset ominaisuudet.


Verrattuna muihin polymorfeihin, kuten 6H-SiC,4H-SiCsillä on suurempi elektronien liikkuvuus ja sähkökentän voimakkuus, ja se sopii korkeataajuisiin ja suuritehoisiin skenaarioihin. Lisäksi 4H-SiC-materiaaleilla on erinomainen korkean jännitteen ja korkean lämpötilan kestävyys, ja ne voivat toimia normaalisti ankarissa ympäristöissä.


2 tuuman 4 tuuman 4° off-akseli p-tyypin piikarbidikiekon kokoon liittyvät standardit


6 tuuman 4° off-akseli p-tyypin piikarbidikiekon kokoon liittyvät standardit

4° off axis p-type SiC Wafer Detection menetelmät ja terminologia


VeTek Semiconductorissa on jo 4° off-akseli p-tyypin 4H-SiC-substraatteja 2-6 tuumasta.Alusta on seostettu alumiinilla ja näyttää siniseltä. Resistiivisyys vaihtelee välillä 0,1 - 0,7 Ω•cm. 


Jos sinulla on tuotevaatimuksia 4° off-axis p-type SiC Waferille, tervetuloa ottamaan yhteyttä meihin.

Hot Tags: 4-off axis p-type SiC Wafer, Kiina, valmistaja, toimittaja, tehdas, räätälöity, osta, edistynyt, kestävä, valmistettu Kiinassa
Aiheeseen liittyvä luokka
Lähetä kysely
Ole hyvä ja lähetä kyselysi alla olevalla lomakkeella. Vastaamme sinulle 24 tunnin kuluessa.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept