TaC-pinnoitettu grafiittikiekkojen alusta

VeTek Semiconductor on johtava TaC-pinnoitettujen grafiittikiekkokiekkojen valmistaja ja innovaattori Kiinassa. Olemme erikoistuneet SiC- ja TaC-pinnoitteisiin useiden vuosien ajan. TaC-pinnoitetuilla grafiittikiekkojen alustallamme on korkeampi lämmönkestävyys ja kulutusta kestävä. Odotamme innolla tulevaa pitkäaikaiseksi kumppaniksesi Kiinassa.

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

Voit olla varma, että ostat VeTek Semiconductorilta räätälöidyn TaC-pinnoitetun grafiittikiekkotelineen. Odotamme innolla yhteistyötä kanssasi, jos haluat tietää lisää, voit ottaa meihin yhteyttä nyt, vastaamme sinulle ajoissa!

VeTek Semiconductor TaC Coated Graphite Wafer Carrier on suoraan vuorovaikutuksessa kiekkojen kanssa epitaksireaktorissa, mikä parantaa tehokkuutta ja suorituskykyä. Piikarbidi- tai tantaalikarbidipinnoitteella varustettu VeTek Semiconductor TaC Coated Graphite Wafer Carrier tarjoaa pidemmän käyttöiän, jopa 2-3 kertaa pidemmän tantaalikarbidin kanssa. Yhteensopiva useiden konemallien kanssa, mukaan lukien LPE SiC epitaksiuunit, JSG, NASO epitaksiaaliset uunit.

VeTek Semiconductor TaC -pinnoitettu grafiittikantoaine varmistaa tarkan reaktion stoikiometrian, estää epäpuhtauksien kulkeutumisen ja säilyttää lämpötilan stabiiliuden yli 2000 °C:ssa. Se kestää erinomaisesti H2:ta, NH3:a, SiH4:ää ja Si:tä, mikä suojaa ankarilta kemiallisilta ympäristöiltä. Kestää lämpöiskuja ja mahdollistaa nopeat käyttöjaksot ilman pinnoitteen irtoamista.

VeTek Semiconductor TaC -pinnoite takaa erittäin korkean puhtauden, eliminoi epäpuhtaudet ja varmistaa yhdenmukaisen peittävyyden, joka täyttää tiukat mittatoleranssit. VeTek Semiconductorin edistyneiden grafiitinkäsittelyominaisuuksien ansiosta olemme valmiita vastaamaan räätälöintitarpeisiisi. Tarvitsetpa pinnoituspalveluita tai kokonaisvaltaisia ratkaisuja, asiantunteva insinööritiimimme on valmis suunnittelemaan täydellisen ratkaisun erityisiin sovelluksiisi. Luota meihin, jotta voimme toimittaa korkealaatuisia tuotteita tarpeidesi ja odotustenne mukaan.

PVT-menetelmä SiC Crystal Growth

TaC Coated Graphite Wafer Carrier -levyn tuoteparametri

TaC-pinnoitteen fysikaaliset ominaisuudet
Tiheys	14,3 (g/cm³)
Ominaisemissiokyky	0.3
Lämpölaajenemiskerroin	6,3 10-6/K
Kovuus (HK)	2000 HK
Resistanssi	1×10-5 ohmia*cm
Lämpöstabiilisuus	<2500 ℃
Grafiitin koko muuttuu	-10-20um
Pinnoitteen paksuus	≥20um tyypillinen arvo (35um±10um)