Vaakasuuntainen SiC-kiekkojen alusta

VeTek SemiconductorsVaakasuuntainen SiC-kiekkojen alusta/Veneellä on erittäin korkea sulamispiste (noin 2700°C), mikä mahdollistaaVaakasuuntainen SiC-kiekkojen alusta/Vene toimii vakaasti korkeissa lämpötiloissa ilman muodonmuutoksia tai hajoamista. Tämä ominaisuus on erityisen tärkeä puolijohteiden valmistusprosessissa, erityisesti prosesseissa, kuten korkean lämpötilan hehkutus tai kemiallinen höyrypinnoitus (CVD).

TheVaakasuuntainen SiC-kiekkojen alusta/Boatilla on erityisesti seuraavat roolit kiekkojen kantoprosessissa:

Piikiekon kanto ja tuki: Horizontal SiC Wafer Boatia käytetään pääasiassa piikiekkojen kuljettamiseen ja tukemiseen puolijohteiden valmistuksen aikana. Se voi järjestää useita piikiekkoja tiukasti yhteen varmistaakseen, että ne pysyvät hyvässä asennossa ja vakaana koko käsittelyprosessin ajan.

Tasainen lämmitys ja jäähdytys: SiC:n korkean lämmönjohtavuuden ansiosta Wafer Boat voi jakaa lämmön tehokkaasti tasaisesti kaikkiin piikiekoihin. Tämä auttaa saavuttamaan piikiekkojen tasaisen lämmityksen tai jäähdytyksen korkean lämpötilan käsittelyn aikana, mikä varmistaa käsittelyprosessin johdonmukaisuuden ja luotettavuuden.

Estä saastuminen: Piikarbidin kemiallinen stabiilisuus mahdollistaa sen hyvän suorituskyvyn korkeissa lämpötiloissa ja syövyttävissä kaasuympäristöissä, mikä vähentää piikiekkojen altistumista mahdollisille epäpuhtauksille tai reagoiville aineille, mikä varmistaa piikiekkojen puhtauden ja laadun.

Itse asiassa Horizontal SiC Wafer Boat voi täyttää yllä olevan roolin ainutlaatuisten tuoteominaisuuksiensa ansiosta:

Erinomainen kemiallinen stabiilisuus: SiC-materiaalilla on erinomainen korroosionkestävyys erilaisille kemiallisille aineille. Käsiteltäessä syövyttäviä kaasuja tai nesteitä, SiC Wafer Boat kestää tehokkaasti kemiallista korroosiota ja suojaa piikiekkoja saastumiselta tai vaurioilta.

Korkea lämmönjohtavuus: SiC:n korkea lämmönjohtavuus auttaa jakamaan lämmön tasaisesti kantajaprosessissa ja vähentämään lämmön kertymistä. Tämä voi parantaa lämpötilan säädön tarkkuutta tarkkuuskäsittelyn aikana ja varmistaa piikiekkojen tasaisen lämmityksen tai jäähdytyksen.

Matala lämpölaajenemiskerroin: SiC-materiaalin alhainen lämpölaajenemiskerroin tarkoittaa, että SiC Wafer Boatin mittamuutos on hyvin pieni lämpötilan muutosten aikana. Tämä auttaa säilyttämään mittavakauden korkean lämpötilan käsittelyn aikana ja estää lämpölaajenemisen aiheuttaman piikiekkojen muodonmuutoksen tai sijainnin siirtymisen.

Vaakasuuntainen SiC-kiekkojen alustain fyysiset perusominaisuudet:

VeTek Semiconductor Production Shop:

Yleiskatsaus puolijohdesirun epitaksiteollisuuden ketjuun: