Sirujen valmistus: MOSFETin prosessivirta

Sirun valmistusprosessi sisältää fotolitografian,etsaus, diffuusio, ohutkalvo, ioni-istutus, kemiallinen mekaaninen kiillotus, puhdistus jne. Tässä artikkelissa selitetään karkeasti, kuinka nämä prosessit integroidaan peräkkäin MOSFETin valmistamiseksi.

1. Meillä on ensin asubstraattijonka piin puhtaus on jopa 99,9999999 %.

2. Kasvata piikidealustalle kerros oksidikalvoa.

3. Spin-coat fotoresisti tasaisesti.

4.Fotolitografia suoritetaan valokuvanaamion kautta, jotta fotomaskin kuvio siirretään fotoresistille.

5. Valoherkän alueen fotoresisti pestään pois kehityksen jälkeen.

6. Syövytä oksidikalvo, jota fotoresist ei peitä etsauksella, jotta fotolitografiakuvio siirtyyvohveli.

7. Puhdista ja poista ylimääräinen fotoresisti.

8. Levitä toinen ohenneoksidikalvo. Tämän jälkeen yllä olevan fotolitografian ja etsauksen avulla vain porttialueen oksidikalvo säilyy.

9. Kasvata sen päälle kerros polypiitä

10. Kuten vaiheessa 7, käytä fotolitografiaa ja syövytystä, jotta vain polypii pysyy hilaoksidikerroksessa.

11. Peitä oksidikerros ja portti fotolitografialla niin, että koko kiekkoioni-istutettu, ja siellä on lähde ja viemäri.

12. Kasvata levylle kerros eristekalvoa.

13. Syövytä lähteen, portin ja viemärin kosketusreiät fotolitografialla ja etsauksella.

14. Aseta sitten metalli syövytetylle alueelle, jotta lähteelle, portille ja viemärille tulee johtavat metallilangat.

Lopuksi täydellinen MOSFET valmistetaan useiden eri prosessien yhdistelmällä.

Itse asiassa sirun pohjakerros koostuu suuresta määrästä transistoreja.

MOSFET-valmistuskaavio, lähde, portti, viemäri

Erilaiset transistorit muodostavat logiikkaportteja

Logiikkaportit muodostavat aritmeettisia yksiköitä

Lopuksi se on kynnen kokoinen siru